ಆಣ್ವಿಕ ಕಿರಣದ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ, ಅಥವಾ MBE, ಸ್ಫಟಿಕ ತಲಾಧಾರಗಳ ಮೇಲೆ ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಉತ್ತಮ-ಗುಣಮಟ್ಟದ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳನ್ನು ಬೆಳೆಯಲು ಹೊಸ ತಂತ್ರವಾಗಿದೆ. ಅಲ್ಟ್ರಾ-ಹೈ ನಿರ್ವಾತ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ, ತಾಪನ ಸ್ಟೌವ್ ಎಲ್ಲಾ ರೀತಿಯ ಅಗತ್ಯ ಘಟಕಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಜ್ಜುಗೊಂಡಿದೆ ಮತ್ತು ಕಿರಣದ ಪರಮಾಣು ಅಥವಾ ಆಣ್ವಿಕ ಕಿರಣವನ್ನು ಕೊಲ್ಲಿಮೇಟ್ ಮಾಡಿದ ನಂತರ ರೂಪುಗೊಂಡ ರಂಧ್ರಗಳ ಮೂಲಕ ಉಗಿ ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ, ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕ ತಲಾಧಾರದ ಸೂಕ್ತ ತಾಪಮಾನಕ್ಕೆ ನೇರ ಚುಚ್ಚುಮದ್ದು, ಆಣ್ವಿಕ ಕಿರಣವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುತ್ತದೆ. ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ತಲಾಧಾರದ ಸ್ಕ್ಯಾನಿಂಗ್, ಇದು ಸ್ಫಟಿಕ ಜೋಡಣೆ ಪದರಗಳಲ್ಲಿನ ಅಣುಗಳು ಅಥವಾ ಪರಮಾಣುಗಳನ್ನು ತಲಾಧಾರ "ಬೆಳವಣಿಗೆ" ಮೇಲೆ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುವಂತೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.

MBE ಉಪಕರಣಗಳ ಸಾಮಾನ್ಯ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಗಾಗಿ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ, ಕಡಿಮೆ ಒತ್ತಡ ಮತ್ತು ಅಲ್ಟ್ರಾ-ಕ್ಲೀನ್ ದ್ರವ ಸಾರಜನಕವನ್ನು ನಿರಂತರವಾಗಿ ಮತ್ತು ಸ್ಥಿರವಾಗಿ ಉಪಕರಣದ ಕೂಲಿಂಗ್ ಚೇಂಬರ್‌ಗೆ ಸಾಗಿಸುವ ಅಗತ್ಯವಿದೆ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, ದ್ರವ ಸಾರಜನಕವನ್ನು ಒದಗಿಸುವ ಟ್ಯಾಂಕ್ 0.3MPa ಮತ್ತು 0.8MPa ನಡುವೆ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಒತ್ತಡವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. -196℃ ನಲ್ಲಿ ದ್ರವ ಸಾರಜನಕವು ಪೈಪ್‌ಲೈನ್ ಸಾಗಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಸುಲಭವಾಗಿ ಸಾರಜನಕವಾಗಿ ಆವಿಯಾಗುತ್ತದೆ. ಸುಮಾರು 1:700 ರ ಅನಿಲ-ದ್ರವ ಅನುಪಾತವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ದ್ರವ ಸಾರಜನಕವನ್ನು ಪೈಪ್‌ಲೈನ್‌ನಲ್ಲಿ ಅನಿಲೀಕರಿಸಿದ ನಂತರ, ಅದು ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಮಾಣದ ದ್ರವ ಸಾರಜನಕ ಹರಿವಿನ ಜಾಗವನ್ನು ಆಕ್ರಮಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ದ್ರವ ಸಾರಜನಕದ ಪೈಪ್‌ಲೈನ್‌ನ ಕೊನೆಯಲ್ಲಿ ಸಾಮಾನ್ಯ ಹರಿವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಜೊತೆಗೆ ದ್ರವರೂಪದ ಸಾರಜನಕ ಸಂಗ್ರಹದ ತೊಟ್ಟಿಯಲ್ಲಿ ಶುಚಿಗೊಳಿಸದ ಕಸ ಇರುವ ಸಾಧ್ಯತೆ ಇದೆ. ದ್ರವರೂಪದ ಸಾರಜನಕ ಪೈಪ್ಲೈನ್ನಲ್ಲಿ, ಆರ್ದ್ರ ಗಾಳಿಯ ಅಸ್ತಿತ್ವವು ಐಸ್ ಸ್ಲ್ಯಾಗ್ನ ಪೀಳಿಗೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಕಲ್ಮಶಗಳನ್ನು ಉಪಕರಣದೊಳಗೆ ಹೊರಹಾಕಿದರೆ, ಅದು ಉಪಕರಣಕ್ಕೆ ಅನಿರೀಕ್ಷಿತ ಹಾನಿಯನ್ನುಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ.

ಆದ್ದರಿಂದ, ಹೊರಾಂಗಣ ಶೇಖರಣಾ ತೊಟ್ಟಿಯಲ್ಲಿರುವ ದ್ರವ ಸಾರಜನಕವನ್ನು ಧೂಳು-ಮುಕ್ತ ಕಾರ್ಯಾಗಾರದಲ್ಲಿ MBE ಉಪಕರಣಗಳಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆ, ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ಸ್ವಚ್ಛತೆಯೊಂದಿಗೆ ಸಾಗಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಒತ್ತಡ, ಸಾರಜನಕವಿಲ್ಲ, ಯಾವುದೇ ಕಲ್ಮಶಗಳಿಲ್ಲದೆ, 24 ಗಂಟೆಗಳ ನಿರಂತರ, ಅಂತಹ ಸಾರಿಗೆ ನಿಯಂತ್ರಣ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯು ಅರ್ಹ ಉತ್ಪನ್ನ.