ಆಣ್ವಿಕ ಕಿರಣದ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿರ್ವಾತ ಅಥವಾ ಅತಿ-ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿರ್ವಾತದಲ್ಲಿ ನಡೆಸಲಾಯಿತು (1 x 10^-8(Pa) ಪರಿಸರ. ಆಣ್ವಿಕ ಕಿರಣದ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯ ಪ್ರಮುಖ ಅಂಶವೆಂದರೆ ಅದರ ಕಡಿಮೆ ಶೇಖರಣಾ ದರ, ಇದು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಫಿಲ್ಮ್ ಅನ್ನು ಗಂಟೆಗೆ 3000 nm ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ದರದಲ್ಲಿ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬೆಳೆಯಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಅಂತಹ ಕಡಿಮೆ ಶೇಖರಣಾ ದರವು ಇತರ ಶೇಖರಣಾ ವಿಧಾನಗಳಂತೆಯೇ ಅದೇ ಮಟ್ಟದ ಶುಚಿತ್ವವನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ಸಾಕಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿರ್ವಾತದ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ.

ಮೇಲೆ ವಿವರಿಸಿದ ಅಲ್ಟ್ರಾ-ಹೈ ನಿರ್ವಾತವನ್ನು ಪೂರೈಸಲು, MBE ಸಾಧನ (ಕ್ನುಡ್ಸೆನ್ ಕೋಶ) ತಂಪಾಗಿಸುವ ಪದರವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಕೊಠಡಿಯ ಅಲ್ಟ್ರಾ-ಹೈ ನಿರ್ವಾತ ಪರಿಸರವನ್ನು ದ್ರವ ಸಾರಜನಕ ಪರಿಚಲನೆ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ನಿರ್ವಹಿಸಬೇಕು. ದ್ರವ ಸಾರಜನಕವು ಸಾಧನದ ಆಂತರಿಕ ತಾಪಮಾನವನ್ನು 77 ಕೆಲ್ವಿನ್ (−196 °C) ಗೆ ತಂಪಾಗಿಸುತ್ತದೆ. ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನದ ವಾತಾವರಣವು ನಿರ್ವಾತದಲ್ಲಿನ ಕಲ್ಮಶಗಳ ವಿಷಯವನ್ನು ಮತ್ತಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳ ಶೇಖರಣೆಗೆ ಉತ್ತಮ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, MBE ಉಪಕರಣಗಳು -196 °C ದ್ರವ ಸಾರಜನಕದ ನಿರಂತರ ಮತ್ತು ಸ್ಥಿರ ಪೂರೈಕೆಯನ್ನು ಒದಗಿಸಲು ಮೀಸಲಾದ ದ್ರವ ಸಾರಜನಕ ತಂಪಾಗಿಸುವ ಪರಿಚಲನೆ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯು ಅಗತ್ಯವಿದೆ.